Strontium Stannate - An Emerging Wide Gap Semiconductor for Field-Effect Transistor Applications
Strontium Stannate - An Emerging Wide Gap Semiconductor for Field-Effect Transistor Applications
- 자료유형
- 학위논문파일 국외
- ISBN
- 9798535594040
- DDC
- 621.3
- 서명/저자
- Strontium Stannate - An Emerging Wide Gap Semiconductor for Field-Effect Transistor Applications
- 발행사항
- [Sl] : University of Minnesota, 2020
- 발행사항
- Ann Arbor : ProQuest Dissertations & Theses, 2020
- 형태사항
- 117 p
- 주기사항
- Source: Dissertations Abstracts International, Volume: 83-03, Section: B.
- 주기사항
- Advisor: Koester, Steven John.
- 학위논문주기
- Thesis (Ph.D.)--University of Minnesota, 2020.
- 사용제한주기
- This item must not be sold to any third party vendors.
- 일반주제명
- Electrical engineering
- 키워드
- MESFET
- 키워드
- Ohmic contacts
- 키워드
- Recess
- 키워드
- SrSnO3
- 기타저자
- University of Minnesota Electrical/Computer Engineering
- 기본자료저록
- Dissertations Abstracts International. 83-03B.
- 기본자료저록
- Dissertation Abstract International
- 전자적 위치 및 접속
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