MARC

 008220131s2021        us                              c    eng  d
■001000016053502
■00520220210093808
■020    ▼a9798535542294
■035    ▼a(MiAaPQ)AAI28649613
■040    ▼aMiAaPQ▼cMiAaPQ
■0820  ▼a621.3
■1001  ▼aYang,  Tsung-Han.
■24510▼aWide  Bandgap  Semiconductor  Power  Devices  Using  Ga2O3  GaN  and  BN
■260    ▼a[Sl]▼bArizona  State  University▼c2021
■260  1▼aAnn  Arbor▼bProQuest  Dissertations  &  Theses▼c2021
■300    ▼a92  p
■500    ▼aSource:  Dissertations  Abstracts  International,  Volume:  83-03,  Section:  B.
■500    ▼aAdvisor:  Zhao,  Yuji.
■5021  ▼aThesis  (Ph.D.)--Arizona  State  University,  2021.
■506    ▼aThis  item  must  not  be  sold  to  any  third  party  vendors.
■590    ▼aSchool  code:  0010.
■650  4▼aElectrical  engineering
■650  4▼aChemical  engineering
■650  4▼aBoron
■650  4▼aSimulation
■650  4▼aDiodes
■650  4▼aInvestigations
■650  4▼aSilicon  carbide
■650  4▼aSemiconductors
■650  4▼aElectric  fields
■650  4▼aHydrochloric  acid
■650  4▼aHigh  temperature
■650  4▼aPlasma  etching
■650  4▼aHydrogen
■650  4▼aAluminum
■650  4▼aHeat
■650  4▼aEnergy
■650  4▼aMorphology
■650  4▼aRadiation
■650  4▼aEfficiency
■650  4▼aBias
■653    ▼aBN
■653    ▼aGa2O3
■653    ▼aGaN
■653    ▼aPower  electronics
■653    ▼aWide  bandgap  semiconductor
■690    ▼a0544
■690    ▼a0542
■690    ▼a0287
■690    ▼a0791
■71020▼aArizona  State  University▼bElectrical  Engineering.
■7730  ▼tDissertations  Abstracts  International▼g83-03B.
■773    ▼tDissertation  Abstract  International
■790    ▼a0010
■791    ▼aPh.D.
■792    ▼a2021
■793    ▼aEnglish
■85640▼uhttp://www.riss.kr/pdu/ddodLink.do?id=T16053502▼nKERIS▼z이  자료의  원문은  한국교육학술정보원에서  제공합니다.
■980    ▼a202202▼f2022

Preview

Export

ChatGPT Discussion

AI Recommended Related Books