MARC

 008250123s2024        us                              c    eng  d
■001000017164301
■00520250211152945
■006m          o    d                
■007cr#unu||||||||
■020    ▼a9798342142885
■035    ▼a(MiAaPQ)AAI31606866
■035    ▼a(MiAaPQ)Purdue26343478
■040    ▼aMiAaPQ▼cMiAaPQ
■0820  ▼a541.3
■1001  ▼aMishra,  Saswat.
■24510▼aAccelerated  Discovery  of  Multi-principal  Element  Alloys  and  Wide  Bandgap  Semiconductors  Under  Extreme  Conditions
■260    ▼a[Sl]▼bPurdue  University▼c2024
■260  1▼aAnn  Arbor▼bProQuest  Dissertations  &  Theses▼c2024
■300    ▼a161  p
■500    ▼aSource:  Dissertations  Abstracts  International,  Volume:  86-04,  Section:  B.
■500    ▼aAdvisor:  Strachan,  Alejandro;Titus,  Michael;Bilionis,  Ilias;Wang,  Haiyan.
■5021  ▼aThesis  (Ph.D.)--Purdue  University,  2024.
■520    ▼aAdvancements  in  material  science  are  accelerating  technological  evolution,  driven  by  initiatives  like  the  Materials  Genome  Project,  which  integrates  computational  and  experimental  strategies  to  expedite  material  discovery.  In  this  work,  we  focus  on  the  reliability  of  advanced  materials  under  extreme  conditions,  a  critical  area  for  enhancing  their  technological  applications.Multi-principal  component  alloys  (MPEAs)  exhibit  remarkable  properties  under  extreme  conditions.  However,  their  vast  compositional  space  makes  a  brute-force  exploration  of  potential  alloys  prohibitive.  We  address  this  challenge  by  employing  a  Bayesian  approach  to  explore  the  oxidation  resistance  of  hundreds  of  alloys,  applying  computational  techniques  to  accurately  calculate  and  quantify  errors  in  the  melting  temperatures  of  MPEAs,  and  investigating  the  compositional  biases  and  short-range  order  in  their  nucleation  behaviors.  Furthermore,  we  scrutinize  the  role  of  wide  bandgap  semiconductors,  which  are  essential  in  high-power  applications  due  to  their  superior  breakdown  voltage,  drift  velocity,  and  sheet  charge  density.  The  lack  of  lattice-matched  substrates  often  results  in  strained  films,  which  enhances  piezoelectric  effects  crucial  for  device  reliability.  Our  research  advances  the  prediction  of  piezoelectric  and  dielectric  responses  as  influenced  by  biaxial  strain  and  doping  in  gallium  nitride  (GaN).  Additionally,  we  delve  into  how  various  common  defects  affect  the  formation  of  trap  states,  significantly  impacting  the  electronic  properties  of  these  materials.These  studies  offer  significant  advancements  in  understanding  MPEAs  and  wide  bandgap  semiconductors  under  extreme  conditions.  We  also  provide  foundational  insights  for  developing  robust  and  efficient  materials  essential  for  next-generation  applications.
■590    ▼aSchool  code:  0183.
■650  4▼aOxidation
■650  4▼aSemiconductors
■650  4▼aElectric  fields
■650  4▼aGenomes
■650  4▼aPoint  defects
■650  4▼aEnergy
■650  4▼aAlloys
■650  4▼aEntropy
■650  4▼aAtomic  physics
■650  4▼aElectromagnetics
■650  4▼aGenetics
■650  4▼aMaterials  science
■690    ▼a0791
■690    ▼a0748
■690    ▼a0607
■690    ▼a0369
■690    ▼a0794
■71020▼aPurdue  University.
■7730  ▼tDissertations  Abstracts  International▼g86-04B.
■790    ▼a0183
■791    ▼aPh.D.
■792    ▼a2024
■793    ▼aEnglish
■85640▼uhttp://www.riss.kr/pdu/ddodLink.do?id=T17164301▼nKERIS▼z이  자료의  원문은  한국교육학술정보원에서  제공합니다.

미리보기

내보내기

chatGPT토론

Ai 추천 관련 도서