MARC

 008250123s2024        us                              c    eng  d
■001000017160562
■00520250211151040
■006m          o    d                
■007cr#unu||||||||
■020    ▼a9798381968705
■035    ▼a(MiAaPQ)AAI31139835
■040    ▼aMiAaPQ▼cMiAaPQ
■0820  ▼a621.3
■1001  ▼aLi,  Jerry.
■24510▼aUltra-Wideband  Gallium  Nitride  Electronics  for  Integrated  Phase  Array  Systems
■260    ▼a[Sl]▼bUniversity  of  California,  Los  Angeles▼c2024
■260  1▼aAnn  Arbor▼bProQuest  Dissertations  &  Theses▼c2024
■300    ▼a84  p
■500    ▼aSource:  Dissertations  Abstracts  International,  Volume:  85-09,  Section:  B.
■500    ▼aAdvisor:  Wang,  Yuanxun.
■5021  ▼aThesis  (Ph.D.)--University  of  California,  Los  Angeles,  2024.
■520    ▼a5G  and  Simultaneous  Transmit  and  Receive  (STAR)  at  radio  frequency  have  led  to  an  ever-increasing  demand  for  physically  smaller,  wider  bandwidth  communication  devices.  In  addition  to  civilian  demand,  electronic  warfare  also  calls  for  robust  RF  systems  that  provide  high  fidelity  communication  and  sensing  in  the  presence  of  numerous  interferences.  Ultra-wideband  Integrated  Phased  Array  Systems  are  a  major  part  of  the  solution  to  all  this  growing  demand.  Two  components  of  particular  interest  to  building  an  Ultra-wideband  Integrated  Phased  Array  System  have  been  constructed  with  Gallium  Nitride  (GaN)  transistors.  The  constructed  circulator  and  power  amplifier  (PA)  components  both  have  excellent  broadband,  small-form  factor,  and  scalability  properties.Using  a  switching  network  of  transistors  and  transmission  lines,  it  is  possible  to  replicate  the  behavior  of  a  traditional  circulator.  This  constructed  device,  the  Sequentially  Switched  Delay  Line  (SSDL),  can  overcome  a  circulator's  conventional  limitations  in  insertion  loss,  form  factor  and  bandwidth.  Using  passive  bootstrapping,  it  is  possible  to  increase  the  power  handling  and  lower  the  insertion  loss.  Arranging  SSDL  devices  in  an  array,  it  is  possible  to  further  raise  the  power  handing  and  reduce  distortions  from  the  transistors'  higher  order  intermodulation  terms.  The  SSDL  in  a  3,4,..,N-port  setting,  can  provide  a  non-reciprocal  device  for  simultaneous  transmit  and  receive  at  the  same  radio  frequency.  The  SSDL  can  also  be  used  as  a  gyrator  in  a  2-port  setting;  it  can  provide  a  wideband  conversion  of  a  capacitor  into  an  inductor.A  new  differential  broadband  GaN  PA  design  for  direct  integration  with  a  Tightly  Coupled  Dipole  Array  (TCDA)  will  also  be  discussed.  Using  differential  amplifiers,  the  overall  PA  design  can  be  made  balun-less.  Using  direct  integration  to  a  TCDA  load,  the  overall  PA  design  can  leverage  the  TCDA's  common  mode  rejection  of  the  second  harmonic.  Combining  these  design  principles,  the  new  integrated  PA  is  also  able  to  overcome  conventional  limitations  in  form  factor  and  bandwidth.
■590    ▼aSchool  code:  0031.
■650  4▼aElectrical  engineering
■650  4▼aElectromagnetics
■650  4▼aInformation  technology
■650  4▼aMechanical  engineering
■653    ▼aGallium  Nitride
■653    ▼aTransistors
■653    ▼aSimultaneous  Transmit  and  Receive
■653    ▼aSequentially  Switched  Delay  Line
■653    ▼aPower  amplifier
■690    ▼a0544
■690    ▼a0489
■690    ▼a0548
■690    ▼a0607
■71020▼aUniversity  of  California,  Los  Angeles▼bElectrical  and  Computer  Engineering  0333.
■7730  ▼tDissertations  Abstracts  International▼g85-09B.
■790    ▼a0031
■791    ▼aPh.D.
■792    ▼a2024
■793    ▼aEnglish
■85640▼uhttp://www.riss.kr/pdu/ddodLink.do?id=T17160562▼nKERIS▼z이  자료의  원문은  한국교육학술정보원에서  제공합니다.

Preview

Export

ChatGPT Discussion

AI Recommended Related Books