MARC

 008250123s2024        us                              c    eng  d
■001000017164893
■00520250211153059
■006m          o    d                
■007cr#unu||||||||
■020    ▼a9798346380771
■035    ▼a(MiAaPQ)AAI31652058
■035    ▼a(MiAaPQ)Stanfordry886hk9765
■040    ▼aMiAaPQ▼cMiAaPQ
■0820  ▼a620
■1001  ▼aNoshin,  Maliha.
■24510▼aPushing  the  Limit  of  Power  Density  in  Devices  with  Ultra-Wide  Bandgap  (All-AlGaN)  Heterostructures
■260    ▼a[Sl]▼bStanford  University▼c2024
■260  1▼aAnn  Arbor▼bProQuest  Dissertations  &  Theses▼c2024
■300    ▼a112  p
■500    ▼aSource:  Dissertations  Abstracts  International,  Volume:  86-05,  Section:  A.
■500    ▼aAdvisor:  Chowdhury,  Srabanti.
■5021  ▼aThesis  (Ph.D.)--Stanford  University,  2024.
■520    ▼aThe  increasing  energy-consumption  due  to  increased  electrification  of  our  society  is  pushing  the  limit  of  today's  power-electronics  systems.  To  address  this  challenge,  the  development  of  higher  energy-density  power-electronic  devices  and  systems  will  be  a  key  enabler  of  energy  technologies  for  future  grid-electronics  and  data  centers.  To  this  end,  ultrawide-bandgap  (UWBG)  semiconducting  materials-like  aluminum  gallium  nitride  (AlGaN)  are  emerging  as  promising  candidates  for  high-power  electronics,  beyond  the  limitations  of  conventional  materials  like  silicon.In  this  thesis,  I  will  present  the  first  demonstration  of  nitrogen  (N)-polar  AlGaN  (Al  =  20%  to  73%)  heterostructure  based  high-electron  mobility  transistors.  First,  I  will  discuss  the  compositional  design  space  and  metal  organic  chemical  vapor  deposition  (MOCVD)-growth  of  such  heterostructures  to  realize  a  tunable  and  large  bandgap,  followed  by  the  materials  characterization.  I  will  simultaneously  explain  how  the  alloy-dominated  scattering  of  charge  carriers  in  such  material  system  can  control  its  two-dimensional  electron  gas  mobility.  Leveraging  these  fundamental  understanding,  I  will  demonstrate  the  realization  of  the  first  N-polar  AlGaN-channel  high  electron  mobility  transistors,  achieving  simultaneously  large  drive  current,  low  contact  resistance,  low  leakage  current  and  large  breakdown  voltage.  Finally,  I  will  illustrate  the  interface-driven  thermal  and  electrical  transport  and  their  temperature  dependence  in  such  heterostructures,  offering  important  insights  into  material-device  codesign,  electronic  device  functionality  and  reliability.  This  work  demonstrates  the  outstanding  potential  of  AlGaN-based  heterostructures  for  high-power  density  electronic  devices  and  systems.
■590    ▼aSchool  code:  0212.
■650  4▼aSilicon
■650  4▼aElectrons
■650  4▼aOptimization  techniques
■650  4▼aElectric  fields
■650  4▼aElectric  vehicles
■650  4▼aSignal  processing
■650  4▼aMicroscopy
■650  4▼aEtching
■650  4▼aAluminum
■650  4▼aTransistors
■650  4▼aHeat  conductivity
■650  4▼aNitrogen
■650  4▼aAtomic  physics
■650  4▼aElectrical  engineering
■650  4▼aElectromagnetics
■650  4▼aThermodynamics
■650  4▼aTransportation
■690    ▼a0800
■690    ▼a0748
■690    ▼a0544
■690    ▼a0607
■690    ▼a0348
■690    ▼a0709
■71020▼aStanford  University.
■7730  ▼tDissertations  Abstracts  International▼g86-05A.
■790    ▼a0212
■791    ▼aPh.D.
■792    ▼a2024
■793    ▼aEnglish
■85640▼uhttp://www.riss.kr/pdu/ddodLink.do?id=T17164893▼nKERIS▼z이  자료의  원문은  한국교육학술정보원에서  제공합니다.

Preview

Export

ChatGPT Discussion

AI Recommended Related Books