MARC

 008260126s2025        us                              c    eng  d
■001000017360237
■00520260202105326
■006m          o    d                
■007cr#unu||||||||
■020    ▼a9798263324230
■035    ▼a(MiAaPQ)AAI32307872
■035    ▼a(MiAaPQ)GeorgiaTech78659
■040    ▼aMiAaPQ▼cMiAaPQ
■0820  ▼a546.73
■1001  ▼aNunn,  Grant.
■24510▼aBallistic  Transport  in  Hexagonal  Boron  Nitride/Epigraphene/Silicon  Carbide  Heterostructures
■260    ▼a[Sl]▼bGeorgia  Institute  of  Technology▼c2025
■260  1▼aAnn  Arbor▼bProQuest  Dissertations  &  Theses▼c2025
■300    ▼a97  p
■500    ▼aSource:  Dissertations  Abstracts  International,  Volume:  87-05,  Section:  B.
■500    ▼aAdvisor:  Berger,  Claire.
■5021  ▼aThesis  (Ph.D.)--Georgia  Institute  of  Technology,  2025.
■520    ▼aBallistic  transport  was  observed  in  a  novel  hBN/epigraphene/SiC  heterostructure.  Such  structures  are  of  interest  as  graphene  requires  a  dielectric  coating  for  gating  and  protection  in  any  optoelectronic  graphene-based  device  architecture.  I  will  present  a  new  method  to  grow  graphene  fully  encapsulated  at  the  interface  between  a  SiC  substrate  and  a  deposited  BN  film,  ensuring  that  the  graphene  is  never  exposed  to  the  environment.  The  technique  utilizes  the  epigraphene  growth  mechanism  through  decomposition  of  the  SiC  interface  under  the  BN  film  capping.  During  this  process,  BN  crystallizes  into  h-BN,  forming  a  monolithic  heterostructure  suitable  for  top-gating.  I  will  discuss  the  electrical  connections  of  epigraphene  devices  to  external  leads,  with  or  without  seamless  graphene  interconnects.  The  measured  charge  density  is  typical  for  epigraphene,  however  remarkably,  significant  ballistic  transport  is  observed  with  a  mean  free  path  exceeding  the  device  scale.
■590    ▼aSchool  code:  0078.
■650  4▼aBoron
■650  4▼aGraphite
■650  4▼aSilicon  carbide
■650  4▼aSpectrum  analysis
■650  4▼aFourier  transforms
■650  4▼aSingle  crystals
■650  4▼aCarbon
■650  4▼aMagnetic  fields
■650  4▼aChemical  vapor  deposition
■650  4▼aEtching
■650  4▼aEnergy
■650  4▼aGraphene
■650  4▼aScanning  electron  microscopy
■650  4▼aAnnealing
■650  4▼aAnalytical  chemistry
■650  4▼aMaterials  science
■650  4▼aMathematics
■650  4▼aOptics
■650  4▼aElectromagnetics
■690    ▼a0791
■690    ▼a0486
■690    ▼a0794
■690    ▼a0405
■690    ▼a0752
■690    ▼a0607
■71020▼aGeorgia  Institute  of  Technology.
■7730  ▼tDissertations  Abstracts  International▼g87-05B.
■790    ▼a0078
■791    ▼aPh.D.
■792    ▼a2025
■793    ▼aEnglish
■85640▼uhttp://www.riss.kr/pdu/ddodLink.do?id=T17360237▼nKERIS▼z이  자료의  원문은  한국교육학술정보원에서  제공합니다.

미리보기

내보내기

chatGPT토론

Ai 추천 관련 도서