MARC

 008260126s2025        us                              c    eng  d
■001000017359188
■00520260202104846
■006m          o    d                
■007cr#unu||||||||
■020    ▼a9798297601093
■035    ▼a(MiAaPQ)AAI32173853
■040    ▼aMiAaPQ▼cMiAaPQ
■0820  ▼a540
■1001  ▼aByrne,  Dana  Orion.
■24510▼aFabrication  and  Characterization  of  Atomic  Level  Defects  in  hBN  Using  Electron  and  Ion  Beam  Microscopes
■260    ▼a[Sl]▼bUniversity  of  California,  Berkeley▼c2025
■260  1▼aAnn  Arbor▼bProQuest  Dissertations  &  Theses▼c2025
■300    ▼a125  p
■500    ▼aSource:  Dissertations  Abstracts  International,  Volume:  87-04,  Section:  B.
■500    ▼aAdvisor:  Minor,  Andrew  M.;Francis,  Matthew  B.
■5021  ▼aThesis  (Ph.D.)--University  of  California,  Berkeley,  2025.
■520    ▼aVacancy  defects  in  2D  materials  offer  a  versatile  pathway  for  engineering  new  functionalities  on  the  nano-  and  atomic  scale.  This  dissertation  develops  and  applies  advanced  techniques  for  fabricating  and  characterizing  such  defects  in  2D  hexagonal  boron  nitride  (hBN)  using  ion  and  electron  beam  microscopes.At  the  nanoscale,  focused  ion  beam  techniques  leveraging  neutral  Ga  cluster  emission  are  used  to  fabricate  vacancy  defect  clusters  ("nanopores")  in  multilayer  hBN,  and  at  the  atomic  scale,  a  decoupled  light  ion  seeding  and  electron-/thermally-assisted  growth  approach  is  used  to  fabricate  four-atom  vacancies  ("tetravacancies")  in  monolayer  hBN.  In  both  cases,  the  techniques  developed  emphasize  both  throughput  and  control  for  size-selective  membrane  applications.  The  tetravacancy  structures  are  particularly  well  suited  for  mechanosensitive  ion  transport  due  to  their  precise  size  and  electrostatic  environment.  To  asses  the  chemical  structure  of  the  defects,  a  broad-beam  electron  energy  loss  spectroscopy  screening  method  is  introduced,  revealing  distinct  boron  K-edge  fine  structure  features  that  correlate  with  hBN  defectivity,  enabling  defect  identification  in  the  delicate  monolayer  samples  even  in  the  presence  of  surface  contamination.Finally,  spatially  resolved  electron  energy  loss  spectroscopy  and  electron  ptychography  are  used  to  probe  the  edge  structure  of  individual  defects.  Variations  in  microscope  operating  parameters  highlight  the  sensitivity  of  defect  structure  to  imaging  conditions  and  distinct  spectral  differences  reveal  defect  expansion  leading  to  different  edge  terminations  as  a  result.  Together,  the  fabrication  and  advanced  characterization  approaches  developed  here  offer  a  robust  framework  for  advancing  2D  materials  toward  the  realization  of  tailored  functionalities  for  next-generation  devices  and  technologies.
■590    ▼aSchool  code:  0028.
■650  4▼aChemistry
■650  4▼aMaterials  science
■650  4▼aAnalytical  chemistry
■650  4▼aNanoscience
■653    ▼a2D  materials
■653    ▼aDefects
■653    ▼aElectron  energy  loss  spectroscopy  (eels)
■653    ▼a2D  hexagonal  boron  nitride
■653    ▼aIon  beam  microscopy
■653    ▼aTransmission  electron  microscopy
■690    ▼a0794
■690    ▼a0485
■690    ▼a0565
■690    ▼a0486
■71020▼aUniversity  of  California,  Berkeley▼bChemistry.
■7730  ▼tDissertations  Abstracts  International▼g87-04B.
■790    ▼a0028
■791    ▼aPh.D.
■792    ▼a2025
■793    ▼aEnglish
■85640▼uhttp://www.riss.kr/pdu/ddodLink.do?id=T17359188▼nKERIS▼z이  자료의  원문은  한국교육학술정보원에서  제공합니다.

Preview

Export

ChatGPT Discussion

AI Recommended Related Books