MARC

 008260126s2025        us                              c    eng  d
■001000017360914
■00520260202105637
■006m          o    d                
■007cr#unu||||||||
■020    ▼a9798265451828
■035    ▼a(MiAaPQ)AAI32395205
■040    ▼aMiAaPQ▼cMiAaPQ
■0820  ▼a620.11
■1001  ▼aWright,  Dylan.
■24510▼aInvestigation  of  Phonon  and  Thermal  Properties  of  Semiconductors  Using  Brillouin-Mandelstam  Light  Scattering  Spectroscopy
■260    ▼a[Sl]▼bUniversity  of  California,  Los  Angeles▼c2025
■260  1▼aAnn  Arbor▼bProQuest  Dissertations  &  Theses▼c2025
■300    ▼a124  p
■500    ▼aSource:  Dissertations  Abstracts  International,  Volume:  87-06,  Section:  B.
■500    ▼aAdvisor:  Balandin,  Alexander  A.
■5021  ▼aThesis  (Ph.D.)--University  of  California,  Los  Angeles,  2025.
■520    ▼aThis  dissertation  describes  the  use  of  Brillouin-Mandelstam  light  scattering  spectroscopy  for  directly  measuring  acoustic  phonon  frequencies  and  phonon  velocities  in  semiconductors.  It  discusses  the  implications  of  the  changes  in  acoustic  phonon  characteristics  for  the  thermal  properties  of  semiconductors.  The  data  for  acoustic  phonons  is  complemented  with  the  frequencies  of  optical  phonons  obtained  from  Raman  light  scattering  spectroscopy.  The  dissertation  is  divided  into  several  parts,  which  include  the  description  of  the  fundamentals  of  the  Brillouin-Mandelstam  spectroscopy;  phonons  in  quasi-two-dimensional  antiferromagnetic  semiconductors;  phonons  in  Si-doped  AlN  thin  films;  phonons  in  β-Ga2O3  ultra-wide  bandgap  semiconductors;  and  phonons  in  single-crystal  diamond  studied  over  a  broad  temperature  range.  In  antiferromagnetic  semiconductors  of  the  transition  metal  phosphorus  trisulfide  family,  I  found  a  large  variation  in  the  acoustic  phonon  group  velocities  in  materials  with  similar  crystal  structures.  The  extracted  acoustic  phonon  lifetime  was  correlated  with  the  thermal  properties  of  these  materials.  In  Si-doped  AlN  films,  I  observed  that  the  acoustic  phonon  velocity  decreases  monotonically  with  increasing  Si  dopant  concentration.  The  knowledge  of  the  acoustic  phonon  velocities  can  be  used  for  the  optimization  of  the  ultra-wide  bandgap  semiconductor  heterostructures  to  minimize  the  thermal  boundary  resistance  of  high-power  devices.  In  β-Ga2O3  semiconductors,  I  recorded  pronounced  anisotropy  in  the  acoustic  phonon  dispersion  and  velocities  across  different  crystallographic  directions.  The  obtained  information  for  acoustic  phonons  in  β-Ga2O3  can  be  used  for  developing  accurate  theoretical  models  of  phonon  scattering  and  optimization  of  thermal  and  electrical  transport  in  this  technologically  important  ultra-wide  bandgap  semiconductor.  In  diamond,  I  investigated  acoustic  phonons  in  the  temperature  range  from  10  K  to  300  K.  The  obtained  data  can  be  used  to  optimize  materials  of  cryogenic  quantum  sensors  and  surface  acoustic  wave  devices.  The  results  of  this  dissertation  research  attest  to  the  potential  of  Brillouin-Mandelstam  light  scattering  spectroscopy  for  material  characterization  of  novel  semiconductor  materials  and  heterostructures.
■590    ▼aSchool  code:  0031.
■650  4▼aMaterials  science
■650  4▼aEngineering
■650  4▼aAcoustics
■650  4▼aOptics
■653    ▼aSemiconductor  materials
■653    ▼aAcoustic  phonon  velocity
■653    ▼aThermal  properties
■690    ▼a0794
■690    ▼a0537
■690    ▼a0986
■690    ▼a0752
■71020▼aUniversity  of  California,  Los  Angeles▼bMaterials  Science  and  Engineering  0328.
■7730  ▼tDissertations  Abstracts  International▼g87-06B.
■790    ▼a0031
■791    ▼aPh.D.
■792    ▼a2025
■793    ▼aEnglish
■85640▼uhttp://www.riss.kr/pdu/ddodLink.do?id=T17360914▼nKERIS▼z이  자료의  원문은  한국교육학술정보원에서  제공합니다.

미리보기

내보내기

chatGPT토론

Ai 추천 관련 도서