MARC

 008260126s2025        us                              c    eng  d
■001000017360934
■00520260202105640
■006m          o    d                
■007cr#unu||||||||
■020    ▼a9798265484529
■035    ▼a(MiAaPQ)AAI32397382
■040    ▼aMiAaPQ▼cMiAaPQ
■0820  ▼a004
■1001  ▼aSabbir,  Golam.
■24512▼aA  Scalable,  High-Throughput,  and  Fine-Pitch  Flexible  Fan-Out  Package  for  the  Advanced  Packaging  Era
■260    ▼a[Sl]▼bUniversity  of  California,  Los  Angeles▼c2025
■260  1▼aAnn  Arbor▼bProQuest  Dissertations  &  Theses▼c2025
■300    ▼a199  p
■500    ▼aSource:  Dissertations  Abstracts  International,  Volume:  87-06,  Section:  B.
■500    ▼aAdvisor:  Iyer,  Subramanian  S.
■5021  ▼aThesis  (Ph.D.)--University  of  California,  Los  Angeles,  2025.
■520    ▼aPackaging  has  been  a  driver  for  performance  scaling  in  CMOS.  Dieletization  has  been  a  driver  for  package  scaling  with  several  technology  offerings  provided  at  different  cost  and  performance  levels:  organic  packages,  silicon  interposers,  fan-out  wafer  level  packaging  (FOWLP)  to  name  just  a  few.  Amongst  these  fan-out  wafer  level  packaging  and  fan-out  panel  level  packaging  are  attractive,  cost-effective  solutions  to  heterogeneous  integration  as  compared  to  monolithic  fabrication.  The  current  state-of-the-art  for  FOWLP  as  deployed  in  the  semiconductor  industry  utilizes  die-to-die  I/O  (pad)  pitch  of  36  µm.  The  pad  pitches  that  is  achievable  in  fan-out  is  limited  by  two  factors:  die  shift  and  warpage.  In  this  work,  we  have  developed  TrueAdapt™,  a  methodology  to  fabricate  10  µm  (pad)  pitch  wiring  in  FOWLP  which  is  scalable  (to  large  area  format)  and  is  high-throughput  (for  high-volume  manufacturing).  It  consists  of  a  suite  of  techniques:  computer  vision  is  used  to  identify  and  measure  die  shift,  which  is  utilized  to  dynamically  adjust  the  layout.  Then,  a  direct-write  laser  lithography  system  is  used  to  adjust  the  patterning  of  the  wiring  layer  in  real-time.  In  addition,  a  novel  technique  in  direct-write  laser  lithography  called  focal  extension  is  utilized,  which  increases  the  depth  of  focus  (DOF)  of  laser  direct-write.  To  fully  demonstrate  the  reliability  and  repeatability  of  our  method,  we  demonstrate  a  25-die  daisy-chain  assembly  using  TrueAdapt™  in  which  all  25  dies  are  connected  at  a  minimum  of  10  µm  pad  pitch.  Furthermore,  this  demonstration  uses  the  FlexTrate™  platform,  which  is  a  flexible  FOWLP  process  utilizing  polydimethylsiloxane  (PDMS)  as  the  molding  compound.  We  demonstrate,  with  high  yield  (100%),  the  electrical  and  flexibility  results  of  the  daisy  chain  assembly.  We  further  demonstrate  a  real-world  application  in  applying  TrueAdapt™  to  address  die-shift  in  flexible  display  technology  (FlexPlay).  We  fabricate  a  635  pixel  per  inch  (ppi)  flexible  GaN  micro-LED  display  in  the  FlexTrate™  with  a  LED  pitch  of  40  µm  and  with  two  level  metallization.  A  driver  die  is  integrated  to  complete  the  flexible  display  with  high  yield  (90%)  for  the  approximately  100,000  LEDs.
■590    ▼aSchool  code:  0031.
■650  4▼aComputer  science
■650  4▼aElectrical  engineering
■650  4▼aMaterials  science
■650  4▼aPackaging
■653    ▼aAdvanced  packaging
■653    ▼aFan-out
■653    ▼aFlexible  electronics
■653    ▼aFan-out  wafer  level  packaging
■690    ▼a0794
■690    ▼a0984
■690    ▼a0544
■690    ▼a0549
■71020▼aUniversity  of  California,  Los  Angeles▼bMaterials  Science  and  Engineering  0328.
■7730  ▼tDissertations  Abstracts  International▼g87-06B.
■790    ▼a0031
■791    ▼aPh.D.
■792    ▼a2025
■793    ▼aEnglish
■85640▼uhttp://www.riss.kr/pdu/ddodLink.do?id=T17360934▼nKERIS▼z이  자료의  원문은  한국교육학술정보원에서  제공합니다.

미리보기

내보내기

chatGPT토론

Ai 추천 관련 도서