MARC

 008260203s2023        us                              c    eng  d
■001000017366047
■00520260209102934
■006m          o    d                
■007cr#unu||||||||
■020    ▼a9798265402172
■035    ▼a(MiAaPQ)AAI32316174
■035    ▼a(MiAaPQ)GeorgiaTech72716
■040    ▼aMiAaPQ▼cMiAaPQ
■0820  ▼a620
■1001  ▼aGujrati,  Rajat.
■24510▼a2D  Hexagonal  Boron  Nitride  Based  Processes  for  Flexible  Electronics
■260    ▼a[Sl]▼bGeorgia  Institute  of  Technology▼c2023
■260  1▼aAnn  Arbor▼bProQuest  Dissertations  &  Theses▼c2023
■300    ▼a143  p
■500    ▼aSource:  Dissertations  Abstracts  International,  Volume:  87-05,  Section:  B.
■500    ▼aAdvisor:  Mora,  Luis  B.;Salvestrini,  Jean  Paul.
■5021  ▼aThesis  (Ph.D.)--Georgia  Institute  of  Technology,  2023.
■520    ▼aThis  thesis  focuses  on  advancing  the  field  of  flexible  electronic  devices  by  utilizing  two-dimensional  hexagonal  boron  nitride  (2D  h-BN)  as  a  release  layer.  The  methodology  used  in  the  thesis  is  the  selective  area  growth  (SAG)  of  III-N  materials  through  quasi  van  der  Waals  (vdW)  epitaxy  on  2D  h-BN.  This  approach  is  adopted  to  address  and  solve  the  state-of-the-art  challenges  associated  with  InGaN/GaN  solar  cells  and  micro-light  emitting  diodes  (micro-LEDs).The  pathway  to  achieving  efficient  InGaN/GaN  solar  cells  is  impeded  by  degradation  of  the  crystalline  quality  of  the  InGaN  layer  beyond  a  certain  critical  thickness,  the  phase  separation  of  InGaN  alloy  at  the  high  indium  content  in  it,  and  the  presence  of  the  strong  polarization  charges  at  the  InGaN/GaN  hetero-interface.  To  overcome  these  challenges  we  propose  a  novel  design  of  InGaN/GaN  solar  cells  which  includes  conformally  grown  p-GaN,  by  MBE  at  low  temperature,  on  top  of  an  InGaN  Nano  Pyramid  (NP)  absorber,  grown  by  nano  SAG.  Further,  by  coupling  this  structure  with  the  quasi  van  der  Waals  epitaxy  on  2D  h-BN,  two  new  designs  of  solar  cells  (a)  conformal  NP  on  copper,  and  (b)  free-standing  NP,  are  proposed.  The  performance  of  these  solar  cells  is  evaluated  by  optical  and  electrical  simulations  and  a  complete  fabrication  process  of  these  solar  cells  is  presented.The  primary  challenge  for  micro-LED  fabrication  has  been  the  lowered  performance  of  tiny  micro-LEDs  caused  by  chemical  etching  that  defines  individual  LEDs  and  the  complexity  and  cost  associated  with  the  lift-off  and  transfer  of  these  LEDs  from  sapphire  substrates  to  suitable  supports.  In  this  thesis,  for  the  first  time,  we  report  a  demonstration  of  coupled  vdW  epitaxy  and  SAG,  to  fabricate  micro-LEDs  of  various  shapes  down  to  ultra-tiny  sizes  of  1.4m.  The  selective  area  growth  of  multi-quantum  wells  LED  heterostructures  allows  to  obtain  ultra  smooth  crystalline  sidewalls  and  vdW  epitaxy  of  2D  h-BN  allows  simple  lift-off  and  transfer  of  micro-LEDs.  We  perform  a  complete  fabrication  process  of  micro-LEDs  and  its  transfer  to  a  flexible  copper  substrate.  Finally,  device  performances  of  these  high-brightness  micro-LEDs  are  reported.
■590    ▼aSchool  code:  0078.
■650  4▼aSilicon
■650  4▼aBoron
■650  4▼aOrganic  chemicals
■650  4▼aSemiconductors
■650  4▼aLasers
■650  4▼aElectric  fields
■650  4▼aSymmetry
■650  4▼aMicroscopy
■650  4▼aChemical  vapor  deposition
■650  4▼aLight  emitting  diodes
■650  4▼aAluminum
■650  4▼aPhotovoltaic  cells
■650  4▼aCopper
■650  4▼aMolecular  beam  epitaxy
■650  4▼a21st  century
■650  4▼aIndium
■650  4▼aElectronics
■650  4▼aTransistors
■650  4▼aThin  films
■650  4▼aAtoms  &  subatomic  particles
■650  4▼aNitrogen
■650  4▼aAlternative  energy
■650  4▼aAtomic  physics
■650  4▼aCondensed  matter  physics
■650  4▼aElectrical  engineering
■650  4▼aMaterials  science
■650  4▼aOptics
■650  4▼aOrganic  chemistry
■650  4▼aElectromagnetics
■690    ▼a0363
■690    ▼a0748
■690    ▼a0611
■690    ▼a0544
■690    ▼a0794
■690    ▼a0752
■690    ▼a0490
■690    ▼a0607
■71020▼aGeorgia  Institute  of  Technology.
■7730  ▼tDissertations  Abstracts  International▼g87-05B.
■790    ▼a0078
■791    ▼aPh.D.
■792    ▼a2023
■793    ▼aEnglish
■85640▼uhttp://www.riss.kr/pdu/ddodLink.do?id=T17366047▼nKERIS▼z이  자료의  원문은  한국교육학술정보원에서  제공합니다.

미리보기

내보내기

chatGPT토론

Ai 추천 관련 도서