MARC

 008260203s2023        us                              c    eng  d
■001000017366016
■00520260209102914
■006m          o    d                
■007cr#unu||||||||
■020    ▼a9798263397111
■035    ▼a(MiAaPQ)AAI32316216
■035    ▼a(MiAaPQ)GeorgiaTech72785
■040    ▼aMiAaPQ▼cMiAaPQ
■0820  ▼a660
■1001  ▼aHines,  Nicholas  J.
■24510▼aDevice-Level  Thermal  Management  and  Reliability  of  Gallium  Nitride  and  Aluminum  Gallium  Nitride  High  Electron  Mobility  Transistors
■260    ▼a[Sl]▼bGeorgia  Institute  of  Technology▼c2023
■260  1▼aAnn  Arbor▼bProQuest  Dissertations  &  Theses▼c2023
■300    ▼a164  p
■500    ▼aSource:  Dissertations  Abstracts  International,  Volume:  87-05,  Section:  A.
■500    ▼aAdvisor:  Graham,  Samuel.
■5021  ▼aThesis  (Ph.D.)--Georgia  Institute  of  Technology,  2023.
■520    ▼aThe  fields  of  power  and  radio  frequency  (RF)  electronics  have  experienced  tremendous  growth  over  recent  years  as  gallium  nitride  (GaN)  device  technology  is  maturing.  GaN  high  electron  mobility  transistors  (HEMTs)  are  particularly  well-suited  for  high-power  and  high-frequency  applications  due  to  their  excellent  sheet  charge  density  and  channel  mobility,  and  the  large  bandgap  energy  of  GaN.  However,  GaN  HEMTs  suffer  from  acute  self-heating  that  limits  their  performance  in  high-power  and  high-frequency  applications.  The  most  recent  advancements  in  GaN  HEMT  device-level  thermal  management  consist  of  integrating  high-thermal  conductivity  chemical  vapor  deposited  (CVD)  diamond  substrates  to  GaN  HEMT  device  layers  (GaN-on-diamond  technology).  While  the  thermal  merits  for  CVD  diamond  substrate  integration  are  clear,  the  structural  integrity  and  reliability  of  GaN-on-diamond  HEMTs  requires  further  investigation.  To  study  the  structural  impact  that  CVD  diamond  integration  has  on  GaN  HEMTs,  GaN-on-diamond  materials  fabricated  by  various  techniques  have  been  examined  via  optical  stress  metrology  techniques.Ultra-wide  bandgap  (UWBG)  aluminum  gallium  nitride  (AlGaN)  HEMTs  have  the  potential  to  exceed  the  performance  limitations  of  GaN  HEMTs  for  the  next  generation  of  power  and  RF  electronic  device  technologies.  The  acute  self-heating  challenges  for  highpower  GaN  HEMTs  are  exacerbated  for  AlGaN  HEMTs  because  the  thermal  conductivity  of  AlGaN  is  an  order  of  magnitude  lower  than  that  of  GaN.  The  low  thermal  conductivity  of  AlGaN  increases  the  device  thermal  resistance  of  AlGaN  HEMTs  and  changes  the  transient  thermal  dynamics  of  AlGaN  HEMTs  under  pulsed-mode  operation.  Therefore,  AlGaN  HEMT  devices  require  novel  device-level  thermal  management  solutions  to  realize  their  theoretical  performance  potential.  To  address  the  thermal  management  challenges,  novel  device-level  thermal  management  approaches  have  been  identified  via  thermal  finite  element  analysis  (FEA)  and  in  situ  junction  temperature  experiments.
■590    ▼aSchool  code:  0078.
■650  4▼aSilicon  nitride
■650  4▼aTransmission  electron  microscopy
■650  4▼aSatellite  communications
■650  4▼aSpectrum  analysis
■650  4▼aFailure  analysis
■650  4▼aSemiconductors
■650  4▼aResidual  stress
■650  4▼aConductivity
■650  4▼aElectric  fields
■650  4▼aElectric  vehicles
■650  4▼aChemical  vapor  deposition
■650  4▼aLight  emitting  diodes
■650  4▼aAluminum
■650  4▼aMolecular  beam  epitaxy
■650  4▼aElectronics
■650  4▼aTransistors
■650  4▼aStress  analysis
■650  4▼aHeat  conductivity
■650  4▼aThin  films
■650  4▼aStress  measurement
■650  4▼aScanning  electron  microscopy
■650  4▼aAerospace  engineering
■650  4▼aAnalytical  chemistry
■650  4▼aCondensed  matter  physics
■650  4▼aElectrical  engineering
■650  4▼aMaterials  science
■650  4▼aOptics
■650  4▼aThermodynamics
■650  4▼aTransportation
■650  4▼aElectromagnetics
■690    ▼a0538
■690    ▼a0486
■690    ▼a0611
■690    ▼a0544
■690    ▼a0794
■690    ▼a0752
■690    ▼a0348
■690    ▼a0709
■690    ▼a0607
■71020▼aGeorgia  Institute  of  Technology.
■7730  ▼tDissertations  Abstracts  International▼g87-05A.
■790    ▼a0078
■791    ▼aPh.D.
■792    ▼a2023
■793    ▼aEnglish
■85640▼uhttp://www.riss.kr/pdu/ddodLink.do?id=T17366016▼nKERIS▼z이  자료의  원문은  한국교육학술정보원에서  제공합니다.

미리보기

내보내기

chatGPT토론

Ai 추천 관련 도서