MARC

 008260126s2024        us                              c    eng  d
■001000017361042
■00520260202105657
■006m          o    d                
■007cr#unu||||||||
■020    ▼a9798265453136
■035    ▼a(MiAaPQ)AAI32409783
■035    ▼a(MiAaPQ)124638
■040    ▼aMiAaPQ▼cMiAaPQ
■0820  ▼a620.11
■1001  ▼aAn,  Fufei.
■24510▼aSolution-Processed  Thin-Film  Materials  for  High-Performance  Nanoelectronics
■260    ▼a[Sl]▼bUniversity  of  Illinois  at  Urbana-Champaign▼c2024
■260  1▼aAnn  Arbor▼bProQuest  Dissertations  &  Theses▼c2024
■300    ▼a181  p
■500    ▼aSource:  Dissertations  Abstracts  International,  Volume:  87-06,  Section:  B.
■500    ▼aAdvisor:  Cao,  Qing.
■5021  ▼aThesis  (Ph.D.)--University  of  Illinois  at  Urbana-Champaign,  2024.
■520    ▼aThe  burgeoning  field  of  solution-processed  nanomaterials  for  high-performance  transistors  and  thin-film  transistor  (TFT)  applications  is  poised  to  revolutionize  the  electronics  industry  with  cost-effective,  scalable,  and  versatile  manufacturing  processes.  Distinguished  from  conventional  high-temperature,  vacuum-based  techniques,  solution  processing  allows  for  lower-temperature  fabrication  and  is  amenable  to  roll-to-roll  manufacturing,  paving  the  way  for  flexible  electronic  devices.                          At  the  core  of  this  thesis  is  the  development  and  utilization  of  quasi-2D  amorphous  carbon  and  Cu-In-Se  based  metal  chalcogenide  thin  films  via  solution-based  techniques.  Targeting  for  next-generation  high  performance  low-dimensional  transistors,  the  solution-based  strategy  for  fabricating  ultrathin  quasi-2D  amorphous  carbon  films  and  their  few-layered  assemblies  offers  substantial  advantages  in  terms  of  wafer-size  scalability,  low  cost,  and  especially  the  capability  to  form  multilayers  with  precisely  controlled  thickness  in  a  layer-by-layer  fashion.  These  carbon  films  exhibit  exceptional  properties  for  nanoelectronics,  enhancing  performances  while  reducing  power  consumption  due  to  their  amorphous  structure  and  low  surface  dangling  bond  density.  Meanwhile,  Cu-In-Se-based  chalcogenide  films  demonstrate  exceptional  compositional  and  uniformity  control,  ideal  for  low-power  TFTs,  due  to  their  advanced  mobility,  stability,  and  substrate  adaptability.  This  thesis  underscores  the  importance  of  aligning  nanomaterial  innovation  with  specific  technological  needs  and  the  seamless  integration  of  these  new  materials  into  the  existing  semiconductor  manufacturing  landscape  to  overcome  future  challenges.
■590    ▼aSchool  code:  0090.
■650  4▼aMaterials  science
■650  4▼aElectrical  engineering
■650  4▼aEngineering
■650  4▼aNanotechnology
■653    ▼aSolution-process
■653    ▼aAmorphous  carbon
■653    ▼a2D  materials
■653    ▼aThin-film  materials
■653    ▼aNanoelectronics
■690    ▼a0794
■690    ▼a0544
■690    ▼a0652
■690    ▼a0537
■71020▼aUniversity  of  Illinois  at  Urbana-Champaign▼bMaterials  Science  &  Engineerng.
■7730  ▼tDissertations  Abstracts  International▼g87-06B.
■790    ▼a0090
■791    ▼aPh.D.
■792    ▼a2024
■793    ▼aEnglish
■85640▼uhttp://www.riss.kr/pdu/ddodLink.do?id=T17361042▼nKERIS▼z이  자료의  원문은  한국교육학술정보원에서  제공합니다.

Preview

Export

ChatGPT Discussion

AI Recommended Related Books