MARC

 008260126s2024        us                              c    eng  d
■001000017357462
■00520260202103515
■006m          o    d                
■007cr#unu||||||||
■020    ▼a9798280716926
■035    ▼a(MiAaPQ)AAI32038054
■040    ▼aMiAaPQ▼cMiAaPQ
■0820  ▼a530
■1001  ▼aKang,  Ruizhe.▼0(orcid)0000-0001-6758-9647
■24510▼aNanoscale  Investigations  of  Monolayer  Thin  Films  and  Heavy  Element  Materials
■260    ▼a[Sl]▼bHarvard  University▼c2024
■260  1▼aAnn  Arbor▼bProQuest  Dissertations  &  Theses▼c2024
■300    ▼a139  p
■500    ▼aSource:  Dissertations  Abstracts  International,  Volume:  86-12,  Section:  B.
■500    ▼aAdvisor:  Hoffman,  Jennifer  E.
■5021  ▼aThesis  (Ph.D.)--Harvard  University,  2024.
■520    ▼aDuring  my  Ph.D,  my  work  were  divided  into  two  parts.  First,  I  spent  a  lot  of  time  and  effort  using  molecular  beam  epitaxy  (MBE)  to  grow  monolayer  thin  films  that  have  novel  quantum  properties.  Second,  I  used  the  scanning  tunneling  microscope  (STM)  to  study  cleavable  single  crystals,  including  materials  with  a  strong  surface  Rashba  effect  and  Kondo  effect.This  dissertation  focuses  on  a  subset  of  the  work  that  I  have  done  in  my  Ph.D.  Part  I  is  about  film  growth  using  MBE,  which  includes  three  chapters.  Chapter  1  gives  a  general  introduction  to  the  characterization  tools  I  used  for  film  growth,  including  STM,  X-ray  photoelectron  spectroscopy  (XPS),  atomic  force  microscope  (AFM),  scanning  transmission  electron  microscope  (STEM),  and  electron  energy  loss  spectroscopy  (EELS).  Chapter  2  appears  in  its  entirety  in  the  manuscript:Samantha  O'Sullivan,  Ruizhe  Kang,  Jules  A.  Gardener,  Austin  J.  Akey,  Christian  E.  Matt,  and  Jennifer  E.  Hoffman  "Imaging  Se  diffusion  across  the  FeSe/SrTiO3  interface."  Physical  Review  B  105,  165407  (2022)There  has  been  a  long  debate  on  the  exact  structure  of  the  FeSe/SrTiO3  interface.  Some  groups  reported  a  clean  interface  between  the  FeSe  and  the  SrTiO3  surface  while  others  observed  an  additional  Se  layer.  In  this  chapter,  we  provided  evidence  aiming  to  put  an  end  to  this  debate.  Even  though  we  didn't  observe  an  ordered  Se  layer  between  the  film  and  the  substrate,  we  discovered  a  significant  amount  of  Se  diffused  across  the  monolayer  FeSe/SrTiO3  interface  using  EELS.  This  work  shines  light  for  a  possible  factor  that  affect  the  high-temperature  superconductivity  at  FeSe/SrTiO3  interface.  Chapter  3  demonstrates  my  efforts  in  growing  a  monolayer  honeycomb  bismuth  film  (bismuthene)  on  hydrogen-passivated  SiC  substrates.  In  this  chapter,  I  have  demonstrated  the  importance  of  the  hydrogen  passivation  of  the  SiC  substrate  and  provided  evidence  of  the  air  sensitivity  of  the  bismuthene  film.The  second  part  of  this  thesis  is  about  STM  studies  on  two  cleavable  materials  composed  of  heavy  elements,  BiTeI  and  UTe3.  Chapter  4  is  adapted  from  this  manuscript:Ruizhe  Kang,  Jian-Feng  Ge,  Yang  He,  Zhihuai  Zhu,  Daniel  T.  Larson,  Mohammed  Saghir,  Jason  D.  Hoffman,  Geetha  Balakrishnan,  Jennifer  E.  Hoffman.  "Nanoscale  variation  of  the  Rashba  energy  in  BiTeI."  arXiv.2402.18779The  strong  spin-orbit  coupling  (SOC)  leads  to  a  huge  Rashba  effect  in  BiTeI.  In  this  chapter,  we  observed  ring-like  charging  states  on  the  iodine  surface  of  BiTeI,  which  could  be  used  as  a  probe  of  the  local  electric  field.  We  extracted  the  local  Rashba  energies  by  fitting  the  van  Hove  singularities  observed  in  our  scanning  tunneling  spectroscopy.  We  discovered  that  the  Rashba  energies  have  nanoscale  variations,  which  positively  correlate  with  the  local  electric  field  probed  by  the  charging  ring  states.Chapter  5  reports  the  first-ever  STM  measurement  on  UTe3,  where  we  measured  Kondo  resonance.  In  this  chapter,  we  demonstrate  how  the  Kondo  holes  affect  the  local  Kondo  resonance.  We  discovered  that  the  Kondo  holes  in  UTe3  will  reduce  the  local  q  factors  and  shift  the  Kondo  resonance  energies  towards  the  valance  band.  However,  the  hybridization  factor  Γ  shows  a  very  weak  correlation  with  the  Kondo  hole  locations,  indicating  that  the  Kondo  holes  could  induce  some  hybridization  disorder.  This  manuscript  is  in  preparation.
■590    ▼aSchool  code:  0084.
■650  4▼aApplied  physics
■650  4▼aQuantum  physics
■650  4▼aMaterials  science
■650  4▼aEnergy
■650  4▼aNanoscience
■653    ▼aMolecular  beam  epitaxy
■653    ▼aQuantum  materials
■653    ▼aScanning  tunneling  microscope
■653    ▼aSurface  science
■653    ▼aElectron  energy  loss  spectroscopy
■690    ▼a0215
■690    ▼a0565
■690    ▼a0599
■690    ▼a0794
■690    ▼a0791
■71020▼aHarvard  University▼bEngineering  and  Applied  Sciences  -  Applied  Physics.
■7730  ▼tDissertations  Abstracts  International▼g86-12B.
■790    ▼a0084
■791    ▼aPh.D.
■792    ▼a2024
■793    ▼aEnglish
■85640▼uhttp://www.riss.kr/pdu/ddodLink.do?id=T17357462▼nKERIS▼z이  자료의  원문은  한국교육학술정보원에서  제공합니다.

미리보기

내보내기

chatGPT토론

Ai 추천 관련 도서